Резистивная память представляет собой одну из самых простых структур для энергонезависимого хранения данных. Сотрудники лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с коллегами из Кореи доказали пользу дефектов электродов в улучшении параметров ячейки памяти ReRAM. Открытие подсказало, как можно значительно увеличить устойчивость ReRAM к износу при заметном снижении потребления. Источник изображения: МФТИ