В России создали материал, которые обещает прорыв в оптоэлектронике

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова (МГУ) сообщает о разработке новой технологии синтеза передовых материалов для оптоэлектроники. Исследования велись совместно со специалистами из институтов Российской академии наук (РАН). Учёные получили плёнки на основе диоксида ванадия, обладающие рекордными показателями. Отмечается, что названное вещество вызывает повышенный интерес в области оптоэлектроники из-за резкого изменения проводимости (на 4–5 порядков) при небольшой температуре (68 градусов Цельсия). Данная особенность позволяет создавать сверхбыстрые оптоэлектронные переключатели, управляемые температурой.